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三星集團芯片,三星電子 擴產(chǎn)

時間:2025-03-12 23:25:56 來源: 編輯:

IT之家8月7日訊《彭博法律》 據(jù)路透社報道,星集哈佛大學周一在德克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院指控三星電子侵犯微處理器和內存制造領域的團芯兩項專利。法庭。片星

IT House從起訴書中稱,電擴哈佛大學化學系教授Roy G. Gordon是星集這兩項專利的發(fā)明人,哈佛大學是團芯這些專利的受讓人,哈佛大學對相應專利擁有完全權利。片星我有。電擴

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與三星美國辦公設施相關的兩項專利分別涉及沉積含鈷和鎢的薄膜的方法:“用于銅互連的氮化鈷層及其形成方法”和“氮化鎢的氣相沉積”。標題為。團芯哈佛大學表示,片星“此類薄膜對于許多產(chǎn)品的電擴關鍵部件至關重要,包括計算機和手機”。星集

哈佛大學認為,團芯三星電子侵犯了哈佛大學關于在高通Snapdragon 8 Gen 1 處理器等OEM 制造過程中制造氮化鈷薄膜的片星專利,該專利涉及三星S22 智能手機等產(chǎn)品。

當三星制造LPDDR5X 和其他存儲器時,三星的Galaxy Z Flip5 可折疊手機使用了哈佛大學鎢層沉積專利相關LPDDR5X 存儲器產(chǎn)品的至少一項權利要求的所有元素。

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在起訴書中,哈佛大學要求三星電子停止侵權活動并支付未具體說明的金錢賠償。

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